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鑫唐电子为您了解多层陶瓷电容

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作者:管理员    来源:本站    发布时间:2022-08-01    浏览量:384

鑫唐电子多年营电解电容的经验,为您讲述一下多层陶瓷电容的发展。

对于电容而言,小型化和高容量是永恒不变的发展趋势。其中,要数多层陶瓷电容(MLCC)的发展最快。

多层陶瓷电容在便携产品中广泛应用极为广泛,但近年来数字产品的技术进步对其提出了新要求。例如,手机要求更高的传输速率和更高的性能;基带处理 器要求高速度、低电压;LCD 模块要求低厚度(0.5mm)、大容量电容。而汽车环境的苛刻性对多层陶瓷电容更有特殊的要求:首先是耐高温,放置于其中的多层陶瓷电容必须能满足 150℃ 的工作温度;其次是在电池电路上需要短路失 效保护设计。

也就是说,小型化、高速度和高性能、耐高温条件、高可靠性已成为陶瓷电容的关键特性。


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陶瓷电容的容量随直流偏置电压的变化而变化。直流偏置电压降低了介电常数,因此需要从材料方面,降低介电常数对电压的依赖,优化直流偏置电压特性。
应用中较为常见的是 X7R(X5R)类多层陶瓷电容, 它的容量主要集中在1000pF以上,该类电容器主要性能指标是等效串联电阻(ESR),在高波纹电流的电源去耦、滤波及低频信号耦合电路的低功耗表现比较突出。

另一类多层陶瓷电容是C0G类,它的容量多在 1000pF 以下,该类电容器主要性能指标是损耗角正切值 tgδ(DF)。传统的贵金属电极(NME)的 C0G 产品 DF 值范围是(2.0 ~ 8.0)× 10-4,而技术创新型贱金属电极(BME)的C0G产品DF值范围为 (1.0 ~ 2.5)×10-4,约是前者的31 ~ 50%。该类产品在载有T/R模块电路的GSM、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS系统中低功耗特性较为显著。较多用于各种高频电路,如振荡/同步器、定时器电路等。


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